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GermanyJAN2N1016D
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
JAN2N1016D
DESCRIZIONE
TRANS NPN 200V 7.5A TO82
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 7.5 A 150 W TO-82
PRODUTTORE
Microsemi Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Microsemi Corporation
Series
Military, MIL-PRF-19500/102
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
200 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
6 @ 7.5A, 4V
Power - Max
150 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package
TO-82
Base Product Number
2N1016
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
1086-16072-MIL
150-JAN2N1016D
1086-16072
1086-16072-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Microsemi Corporation JAN2N1016D
Documenti e supporti
Environmental Information
()
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-