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GermanyFQPF9P25YDTU
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQPF9P25YDTU
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 250 V 6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
800
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F-3 (Y-Forming)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Base Product Number
FQPF9
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2832-FQPF9P25YDTU-488
2832-FQPF9P25YDTU
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQPF9P25YDTU
Documenti e supporti
Datasheets
1(FQPF9P25YDTU)
Environmental Information
()
PCN Design/Specification
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN Packaging
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : FQPF9P25YDTU
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 5,600
Prezzo unitario. : $0.68430
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Quantità disponibile. : 5,600
Prezzo unitario. : $0.68430
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent