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GermanyNTD4809NH-1G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NTD4809NH-1G
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 58A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole IPAK
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
75
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2155 pF @ 12 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta), 52W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Base Product Number
NTD48
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
ONSONSNTD4809NH-1G
2156-NTD4809NH-1G-ON
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTD4809NH-1G
Documenti e supporti
Datasheets
1(N(T,V)D4809NH)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 24/Jan/2011)
HTML Datasheet
1(N(T,V)D4809NH)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : STD100N3LF3
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 149
Prezzo unitario. : $1.84000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 149
Prezzo unitario. : $1.84000
Tipo sostitutivo. : Similar