Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXFH102N15T
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 150V 102A TO247AD
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 150 V 102A (Tc) 455W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
45 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Trench
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5220 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
455W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AD (IXFH)
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IXFH102

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFH102N15T

Documenti e supporti

Datasheets
1(IXF(A,H,P)102N15T)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
HTML Datasheet
1(IXF(A,H,P)102N15T)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 300
Prezzo unitario: $4.99263
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 300

Sostituti

Parte n. : IXTH102N15T
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $4.87223
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent