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GermanyFDP3672
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FDP3672
DESCRIZIONE
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 105 V 5.9A (Ta), 41A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
328
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
PowerTrench®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
105 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.9A (Ta), 41A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
135W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Altri nomi
2156-FDP3672
FAIFSCFDP3672
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDP3672
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 328
Prezzo unitario: $0.92
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 328
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 328
Sostituti
-