Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
F4100R12KS4BOSA1
DESCRIZIONE
IGBT MOD 1200V 130A 660W
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 130 A 660 W Chassis Mount Module
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
26 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
10

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Active
IGBT Type
-
Configuration
Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
130 A
Power - Max
660 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.75V @ 15V, 100A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
6.8 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
F4100R

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

F4-100R12KS4-ND
SP000100434
F4-100R12KS4
2156-F4100R12KS4BOSA1-448

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies F4100R12KS4BOSA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(F4-100R12KS4)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
HTML Datasheet
1(F4-100R12KS4)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 30
Prezzo unitario: $205.73633
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $213.773
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $228.24
Imballaggio: Tray
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

-