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GermanyIRFR9N20DTRPBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFR9N20DTRPBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
2,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
86W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA (DPAK)
Package / Case
-
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-IRFR9N20DTRPBFTR
IRFR9N20DTRPBFDKR
IRFR9N20DTRPBF-ND
IRFR9N20DTRPBFTR
SP001552256
IRFR9N20DTRPBFCT
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFR9N20DTRPBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRFR9N20D, IRFU9N20D)
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Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Barcode Label Update 24/Feb/2017)
HTML Datasheet
1(IRFR9N20D, IRFU9N20D)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IRFR4620TRLPBF
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 19,785
Prezzo unitario. : $1.66000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 19,785
Prezzo unitario. : $1.66000
Tipo sostitutivo. : Similar