Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
HAT2201WP-EL-E
DESCRIZIONE
15A, 100V, N-CHANNEL MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 15A (Ta) Surface Mount 8-WPAK
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
237

Specifiche tecniche

Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1450 pF @ 10 V
FET Feature
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-WPAK
Package / Case
8-PowerWDFN

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000

Altri nomi

RENRNSHAT2201WP-EL-E
2156-HAT2201WP-EL-E

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Renesas Electronics Corporation HAT2201WP-EL-E

Documenti e supporti

Datasheets
1(Datasheet)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 237
Prezzo unitario: $1.27
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 237

Sostituti

-