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Spain
Rusia
China
Germany2SB824S
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SB824S
DESCRIZIONE
PNP SILICON TRANSISTOR
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 5 A 30MHz 1.75 W Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
683
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 1A, 2V
Power - Max
1.75 W
Frequency - Transition
30MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Altri nomi
2156-2SB824S
ONSONS2SB824S
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SB824S
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 683
Prezzo unitario: $0.44
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 683
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 683
Sostituti
-