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China
Germany2SB817C
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
2SB817C
DESCRIZIONE
PNP SILICON TRANSISTOR
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 12 A 10MHz 2.5 W Through Hole TO-3P-3
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
126
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
140 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 5V
Power - Max
2.5 W
Frequency - Transition
10MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
ONSONS2SB817C
2156-2SB817C
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi 2SB817C
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 126
Prezzo unitario: $2.39
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 126
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 126
Sostituti
-