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GermanyFDP39N20
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FDP39N20
DESCRIZIONE
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 200 V 39A (Tc) 251W (Tc) Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
189
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
UniFET™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 19.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2130 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
251W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Altri nomi
ONSFSCFDP39N20
2156-FDP39N20
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FDP39N20
Documenti e supporti
Datasheets
1(FDP39N20 Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 189
Prezzo unitario: $1.59
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 189
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 189
Sostituti
-