Ultimo aggiornamento
20250425
Lingua
Italia
English
Spain
Rusia
China
Germany
Notizie elettroniche
Richiesta stock online
MSCSM120AM03CT6LIAG
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
MSCSM120AM03CT6LIAG
DESCRIZIONE
SIC 2N-CH 1200V 805A SP6C LI
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 805A (Tc) 3.215kW (Tc) Chassis Mount SP6C LI
PRODUTTORE
Microchip Technology
INIZIATIVA STANDARD
37 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
>>>Clicca per controllare<<<
Specifiche tecniche
Mfr
Microchip Technology
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N Channel (Phase Leg)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
805A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 400A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2320nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
30200pF @ 1kV
Power - Max
3.215kW (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
SP6C LI
Base Product Number
MSCSM120
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Microchip Technology MSCSM120AM03CT6LIAG
Documenti e supporti
Datasheets
1(MSCSM120AM03CT6LIAG)
Environmental Information
()
Featured Product
1(Microchip Technology - Silicon Carbide Semiconductor Discrete Products)
PCN Assembly/Origin
1(Assembly Site 15/Sep/2023)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $1329.19
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-
Prodotti simili
HM2P09PDP291N9L1LF
RN73R2BTTD42R2C50
307-042-542-278
ATS-13H-145-C2-R0
5.39E+14