Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRF6892STRPBF
DESCRIZIONE
25V 999A DIRECTFET-LV
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 25 V 28A (Ta), 125A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ S3C
PRODUTTORE
International Rectifier
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
392

Specifiche tecniche

Mfr
International Rectifier
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Ta), 125A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2510 pF @ 13 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ S3C
Package / Case
DirectFET™ Isometric S3C

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000

Altri nomi

2156-IRF6892STRPBF
INFIRFIRF6892STRPBF

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/International Rectifier IRF6892STRPBF

Documenti e supporti

Datasheets
1(Datasheet)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 392
Prezzo unitario: $0.77
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 392

Sostituti

-
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