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GermanySIHW61N65EF-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIHW61N65EF-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AD
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
28 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
371 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7407 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AD
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SIHW61
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHW61N65EF-GE3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SIHW61N65EF)
HTML Datasheet
1(SIHW61N65EF)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 480
Prezzo unitario: $8.93346
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 480
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 480
Sostituti
Parte n. : IPW60R040C7XKSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 464
Prezzo unitario. : $11.69000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 464
Prezzo unitario. : $11.69000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : STW72N60DM2AG
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 600
Prezzo unitario. : $11.04000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 600
Prezzo unitario. : $11.04000
Tipo sostitutivo. : Similar