Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPW65R080CFDFKSA2
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 43.3A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
20 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
30

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CFD2
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
43.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 17.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5030 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
391W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IPW65R080

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

SP001987362
IPW65R080CFDFKSA2-ND
448-IPW65R080CFDFKSA2

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPW65R080CFDFKSA2

Documenti e supporti

Datasheets
1(IPW65R080CFD)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
HTML Datasheet
1(IPW65R080CFD)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 2010
Prezzo unitario: $4.94859
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1020
Prezzo unitario: $5.28111
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 510
Prezzo unitario: $5.8679
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 120
Prezzo unitario: $6.65025
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 30
Prezzo unitario: $7.43267
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $9.31
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

-