Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NTH027N65S3F_F155
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-3
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
NTH027N65S3F_F155 Models
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
onsemi
Series
FRFET®, SuperFET® II
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 7.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
259 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7690 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
595W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
NTH027

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTH027N65S3F_F155

Documenti e supporti

Datasheets
1(NTH027N65S3F)
Environmental Information
()
PCN Packaging
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML Datasheet
1(NTH027N65S3F)
EDA Models
1(NTH027N65S3F_F155 Models)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : NTH027N65S3F-F155
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 252
Prezzo unitario. : $22.00000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Parte n. : IXTX120N65X2
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 300
Prezzo unitario. : $23.22000
Tipo sostitutivo. : Similar