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GermanyIRF6218PBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRF6218PBF
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2210 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP001564812
*IRF6218PBF
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6218PBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRF6218PbF)
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Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Packing Material Update 16/Sep/2016)
HTML Datasheet
1(IRF6218PbF)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IXTP36P15P
Produttore. : IXYS
Quantità disponibile. : 93
Prezzo unitario. : $6.44000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 93
Prezzo unitario. : $6.44000
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