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GermanyIXFN80N60P3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IXFN80N60P3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
PRODUTTORE
IXYS
INIZIATIVA STANDARD
43 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
10
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Polar3™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13100 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
960W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
IXFN80
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFN80N60P3
Documenti e supporti
Datasheets
1(IXFN80N60P3)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
HTML Datasheet
1(IXFN80N60P3)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $28.6924
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $32.805
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $36.92
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-