Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NTE2018
DESCRIZIONE
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP
PRODUTTORE
NTE Electronics, Inc
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1

Specifiche tecniche

Mfr
NTE Electronics, Inc
Series
-
Package
Bag
Product Status
Active
Transistor Type
8 NPN Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Power - Max
1W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-20°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
18-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package
18-PDIP
Base Product Number
NTE20

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays/NTE Electronics, Inc NTE2018

Documenti e supporti

Datasheets
1(NTE201x, NTE2020)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(NTE201x, NTE2020)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 100
Prezzo unitario: $3.04
Imballaggio: Bag
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 50
Prezzo unitario: $3.11
Imballaggio: Bag
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 20
Prezzo unitario: $3.29
Imballaggio: Bag
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 10
Prezzo unitario: $3.48
Imballaggio: Bag
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $3.66
Imballaggio: Bag
Moltiplicatore minimo: 1

Sostituti

-