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GermanyBSM300C12P3E301
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSM300C12P3E301
DESCRIZIONE
SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 1200 V 300A (Tc) 1360W (Tc) Module
PRODUTTORE
Rohm Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
19 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
4
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 80mA
Vgs (Max)
+22V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 10 V
FET Feature
Standard
Power Dissipation (Max)
1360W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package
Module
Package / Case
Module
Base Product Number
BSM300
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Rohm Semiconductor BSM300C12P3E301
Documenti e supporti
Datasheets
1(BSM300C12P3E301)
Product Training Modules
1(Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers)
Video File
1(ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $893.42
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-