Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQI2N80TU
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 800 V 2.4A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Through Hole I2PAK
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
550

Specifiche tecniche

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

2156-FQI2N80TU-FS
FAIFSCFQI2N80TU

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQI2N80TU

Documenti e supporti

Datasheets
1(FQI2N80TU)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 550
Prezzo unitario: $0.55
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 550

Sostituti

-