English
Spain
Rusia
China
GermanyHUF75339G3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
HUF75339G3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 55 V 75A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
268
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
UltraFET™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Package / Case
TO-247-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-HUF75339G3-FS
FAIFSCHUF75339G3
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor HUF75339G3
Documenti e supporti
Datasheets
1(HUF75339G3)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 268
Prezzo unitario: $1.12
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 268
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 268
Sostituti
-