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GermanyRN1910FE(T5L,F,T)
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
RN1910FE(T5L,F,T)
DESCRIZIONE
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
PRODUTTORE
Toshiba Semiconductor and Storage
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
RN1910FE(T5L,F,T) Models
PACCHETTO STANDARD
4,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Transistor Type
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
250MHz
Power - Max
100mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package
ES6
Base Product Number
RN1910
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
RN1910FE(T5LFT)CT
RN1910FE(T5LFT)TR
RN1910FE(T5LFT)DKR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased/Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE(T5L,F,T)
Documenti e supporti
Datasheets
1(RN1910,11FE Datasheet)
EDA Models
1(RN1910FE(T5L,F,T) Models)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : PUMH7,115
Produttore. : Nexperia USA Inc.
Quantità disponibile. : 12,777
Prezzo unitario. : $0.28000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 12,777
Prezzo unitario. : $0.28000
Tipo sostitutivo. : Similar