Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIB411DK-T1-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-75-6
Package / Case
PowerPAK® SC-75-6
Base Product Number
SIB411

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIB411DK-T1-GE3

Documenti e supporti

Datasheets
1(SIB411DK)
PCN Obsolescence/ EOL
1(PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014)
HTML Datasheet
1(SIB411DK)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : SIB441EDK-T1-GE3
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 9,000
Prezzo unitario. : $0.44000
Tipo sostitutivo. : Similar