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GermanyTSM7N65ACI C0G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
TSM7N65ACI C0G
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 7A ITO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB
PRODUTTORE
Taiwan Semiconductor Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.45Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1406 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
ITO-220AB
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
TSM7N65ACI C0G-ND
TSM7N65ACIC0G
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Taiwan Semiconductor Corporation TSM7N65ACI C0G
Documenti e supporti
Environmental Information
()
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : TK8A65W,S5X
Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
Quantità disponibile. : 50
Prezzo unitario. : $1.72000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 50
Prezzo unitario. : $1.72000
Tipo sostitutivo. : Similar