English
Spain
Rusia
China
GermanySPB80P06P
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SPB80P06P
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5033 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
340W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
SPB80P
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
SP000012841
SPB80P06PT
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPB80P06P
Documenti e supporti
Datasheets
1(SPP,SPB 80P06P)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SPP,SPB 80P06P)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : SPB80P06PGATMA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 4,212
Prezzo unitario. : $4.32000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Quantità disponibile. : 4,212
Prezzo unitario. : $4.32000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent