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GermanyTRS12E65C,S1Q
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
TRS12E65C,S1Q
DESCRIZIONE
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Diode 650 V 12A Through Hole TO-220-2L
PRODUTTORE
Toshiba Semiconductor and Storage
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
50
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Technology
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
Current - Average Rectified (Io)
12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 12 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
90 µA @ 170 V
Capacitance @ Vr, F
65pF @ 650V, 1MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
TO-220-2L
Operating Temperature - Junction
175°C (Max)
Base Product Number
TRS12E65
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Altri nomi
TRS12E65CS1Q
TRS12E65C,S1Q(S
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65C,S1Q
Documenti e supporti
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 18/Oct/2018)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : TRS12E65F,S1Q
Produttore. : Toshiba Semiconductor and Storage
Quantità disponibile. : 3
Prezzo unitario. : $2.35000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 3
Prezzo unitario. : $2.35000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : STPSC12H065D
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 976
Prezzo unitario. : $4.37000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 976
Prezzo unitario. : $4.37000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : NXPSC126506Q
Produttore. : WeEn Semiconductors
Quantità disponibile. : 990
Prezzo unitario. : $6.18000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent
Quantità disponibile. : 990
Prezzo unitario. : $6.18000
Tipo sostitutivo. : Parametric Equivalent