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GermanyJAN2N6898
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
JAN2N6898
DESCRIZIONE
MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 100 V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3
PRODUTTORE
Microsemi Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
5
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Microsemi Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 15.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Military
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
150-JAN2N6898
JAN2N6898-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Microsemi Corporation JAN2N6898
Documenti e supporti
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Last Time Buy Revision 08/Jul/2015)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-