Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NP80N04NDG-S18-AY
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 40V 80A TO262
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 40 V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) Through Hole TO-262
PRODUTTORE
NEC Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
151

Specifiche tecniche

Mfr
NEC Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta), 115W (Tc)
Operating Temperature
175°C
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

2156-NP80N04NDG-S18-AY-NEC
RENNECNP80N04NDG-S18-AY

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NEC Corporation NP80N04NDG-S18-AY

Documenti e supporti

Datasheets
1(NP80N04NDG-S18-AY)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 151
Prezzo unitario: $2
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 151

Sostituti

-