Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
HUFA76619D3ST
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 18A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
833

Specifiche tecniche

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
UltraFET™
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
767 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252 (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

FAIFSCHUFA76619D3ST
2156-HUFA76619D3ST-FSTR

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor HUFA76619D3ST

Documenti e supporti

Datasheets
1(HUFA76619D3ST)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 833
Prezzo unitario: $0.36
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 833

Sostituti

-