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GermanySIHU3N50D-GE3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIHU3N50D-GE3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 500V 3A TO251
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-251AA
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
8 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
175 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
69W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251AA
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
SIHU3
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHU3N50D-GE3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SIHU3N50D)
PCN Assembly/Origin
1(IRFU/SIH 21/Oct/2016)
HTML Datasheet
1(SIHU3N50D)
Product Drawings
1(TO-251AA (IPAK) Pkg Drawing)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 3000
Prezzo unitario: $0.33391
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 3000
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 3000
Sostituti
-