Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SI4420DY
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
SI4420DY Models
PACCHETTO STANDARD
95

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2240 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SI4420DY

Documenti e supporti

Datasheets
1(SI4420DY)
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1(SI4420DY)
EDA Models
1(SI4420DY Models)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : FDS6680A
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.37000
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Parte n. : FDS8880
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Parte n. : SI4420BDY-T1-GE3
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Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $1.40000
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Parte n. : SI4686DY-T1-E3
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Quantità disponibile. : 7,223
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