English
Spain
Rusia
China
GermanyCE1F3P-AZ
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
CE1F3P-AZ
DESCRIZIONE
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 70 V 2 A 1 W Through Hole
PRODUTTORE
Renesas Electronics Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
560
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
70 V
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
500 @ 2A, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Power - Max
1 W
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
3-SSIP
Supplier Device Package
-
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-CE1F3P-AZ
RENRNSCE1F3P-AZ
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Renesas Electronics Corporation CE1F3P-AZ
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 560
Prezzo unitario: $0.54
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 560
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 560
Sostituti
-