Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
HUF76609D3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 100 V 10A (Tc) 49W (Tc) Through Hole IPAK
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
701

Specifiche tecniche

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
UltraFET™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
425 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
49W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

FAIFSCHUF76609D3
2156-HUF76609D3-FS

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor HUF76609D3

Documenti e supporti

Datasheets
1(HUF76609D3S)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 701
Prezzo unitario: $0.43
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 701

Sostituti

-