2N5099

Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE

2N5099

DESCRIZIONE

TRANS NPN 800V 1A TO5

DESCRIZIONE DETTAGLIATA

Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 1 A 4 W Through Hole TO-5AA

PRODUTTORE

Microsemi Corporation

INIZIATIVA STANDARD

MODELLO EDACAD

PACCHETTO STANDARD

1

STOCK FORNITORI

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Specifiche tecniche

Mfr

Microsemi Corporation

Series

-

Package

Bulk

Product Status

Obsolete

Transistor Type

NPN

Current - Collector (Ic) (Max)

1 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

800 V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

-

Current - Collector Cutoff (Max)

-

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Power - Max

4 W

Frequency - Transition

-

Operating Temperature

-

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Supplier Device Package

TO-5AA

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status

RoHS non-compliant

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Altri nomi

2N5099-ND

150-2N5099

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Microsemi Corporation 2N5099

Documenti e supporti

Environmental Information

()

PCN Obsolescence/ EOL

1(Mult Dev EOL 9/Jul/2018)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

-

22182171 TCSD-20-D-02.01-01-N-RW-R NCP5392HMNR2G CTM-63-5 AF122-FR-07147KL

2N5099

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