Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRF9510
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 100 V 4A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
PRODUTTORE
Harris Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
460

Specifiche tecniche

Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
43W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

2156-IRF9510-HC
HARHARIRF9510

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation IRF9510

Documenti e supporti

Datasheets
1(IRF9510)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 460
Prezzo unitario: $0.65
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 460

Sostituti

-