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GermanyNTHD5903T1G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NTHD5903T1G
DESCRIZIONE
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 20V 2.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Power - Max
1.1W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package
ChipFET™
Base Product Number
NTHD59
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
=NTHD5903T1GOSCT-ND
NTHD5903T1GOSCT
2156-NTHD5903T1G
NTHD5903T1GOS
2156-NTHD5903T1G-ONTR-ND
NTHD5903T1GOSTR
ONSONSNTHD5903T1G
NTHD5903T1GOS-ND
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/onsemi NTHD5903T1G
Documenti e supporti
Datasheets
1(NTHD5903)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 21/Jan/2010)
HTML Datasheet
1(NTHD5903)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-