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GermanyIRFHM830TR2PBF
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IRFHM830TR2PBF
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
400
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2155 pF @ 25 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PQFN (3x3)
Package / Case
8-VQFN Exposed Pad
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
IRFHM830TR2PBFCT
IRFHM830TR2PBFTR
SP001560438
IRFHM830TR2PBFDKR
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFHM830TR2PBF
Documenti e supporti
Datasheets
1(IRFHM830PbF)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRFHM830PbF)
Simulation Models
1(IRFHM830TR2PBF Saber Model)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : DMTH3004LPS-13
Produttore. : Diodes Incorporated
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.47122
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.47122
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : FDMS0312AS
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.64000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.64000
Tipo sostitutivo. : Similar