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GermanyAUIRLR3915TRL
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
AUIRLR3915TRL
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
3,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1870 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
120W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA (DPAK)
Package / Case
-
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies AUIRLR3915TRL
Documenti e supporti
Datasheets
1(AUIRLR3915)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : IPD30N06S2L13ATMA4
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 20,415
Prezzo unitario. : $1.51000
Tipo sostitutivo. : Direct
Quantità disponibile. : 20,415
Prezzo unitario. : $1.51000
Tipo sostitutivo. : Direct
Parte n. : FDD13AN06A0
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 12,019
Prezzo unitario. : $1.74000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 12,019
Prezzo unitario. : $1.74000
Tipo sostitutivo. : Similar