English
Spain
Rusia
China
Germany3N163-2
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
3N163-2
DESCRIZIONE
MOSFET P-CH 40V 50MA TO72
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
P-Channel 40 V 50mA (Ta) 375mW (Ta) Through Hole TO-72
PRODUTTORE
Vishay Siliconix
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250Ohm @ 100µA, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10µA
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3.5 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
375mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-72
Package / Case
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Base Product Number
3N163
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix 3N163-2
Documenti e supporti
Datasheets
1(3N163,3N164)
HTML Datasheet
1(3N163,3N164)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
-