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GermanyIPP65R280C6XKSA1
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPP65R280C6XKSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
104W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IPP65R
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
INFINFIPP65R280C6XKSA1
SP000785058
2156-IPP65R280C6XKSA1
IPP65R280C6-ND
IPP65R280C6
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPP65R280C6XKSA1
Documenti e supporti
Datasheets
1(IPx65R280C6)
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Featured Product
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Simulation Models
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Quantità Prezzo
-
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