Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IPI65R660CFDXKSA1
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 650V 6A TO262-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
500

Specifiche tecniche

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
615 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
62.5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IPI65R

Classificazioni ambientali e di esportazione

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

IPI65R660CFD
2156-IPI65R660CFDXKSA1-IT
SP000861696
IFEINFIPI65R660CFDXKSA1
IPI65R660CFD-ND

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPI65R660CFDXKSA1

Documenti e supporti

Datasheets
1(IPx65R660CFD)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPx65R660CFD)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V CFD2 Spice Model)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : IPI60R125CPXKSA1
Produttore. : Infineon Technologies
Quantità disponibile. : 490
Prezzo unitario. : $6.08000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : IRFSL9N60APBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 900
Prezzo unitario. : $2.75000
Tipo sostitutivo. : Similar