English
Spain
Rusia
China
GermanySIGC109T120R3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SIGC109T120R3
DESCRIZIONE
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
IGBT Trench Field Stop 1200 V Surface Mount Die
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
28
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
IGBT Type
Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 100A
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Td (on/off) @ 25°C
-
Test Condition
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
SIGC109
Classificazioni ambientali e di esportazione
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
INFINFSIGC109T120R3
2156-SIGC109T120R3
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/Infineon Technologies SIGC109T120R3
Documenti e supporti
Datasheets
1(SIGC109T120R3 Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 28
Prezzo unitario: $10.89
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 28
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 28
Sostituti
-