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GermanyNDD03N80Z-1G
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
NDD03N80Z-1G
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 800 V 2.9A (Tc) 96W (Tc) Through Hole IPAK
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
75
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
96W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Base Product Number
NDD03
Classificazioni ambientali e di esportazione
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
2156-NDD03N80Z-1G-ON
ONSONSNDD03N80Z-1G
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NDD03N80Z-1G
Documenti e supporti
Datasheets
1(NDD03N80Z)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices 01/Sep/2017)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Devices 29/Aug/2017)
HTML Datasheet
1(NDD03N80Z)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
Parte n. : FCU3400N80Z
Produttore. : Flip Electronics
Quantità disponibile. : 3,600
Prezzo unitario. : $0.43000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 3,600
Prezzo unitario. : $0.43000
Tipo sostitutivo. : Similar
Parte n. : STD2N80K5
Produttore. : STMicroelectronics
Quantità disponibile. : 6,117
Prezzo unitario. : $1.52000
Tipo sostitutivo. : Similar
Quantità disponibile. : 6,117
Prezzo unitario. : $1.52000
Tipo sostitutivo. : Similar