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GermanyHUF75333P3
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
HUF75333P3
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 55 V 66A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
PRODUTTORE
Harris Corporation
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
365
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Harris Corporation
Series
UltraFET™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 66A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
HARHARHUF75333P3
2156-HUF75333P3-HC
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation HUF75333P3
Documenti e supporti
Datasheets
1(Datasheet)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 365
Prezzo unitario: $0.82
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 365
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 365
Sostituti
-