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GermanyBSP318S E6327
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
BSP318S E6327
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 60 V 2.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
PRODUTTORE
Infineon Technologies
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,000
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
BSP318S E6327-ND
SP000011112
BSP318SE6327
BSP318SE6327T
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSP318S E6327
Documenti e supporti
Datasheets
1(BSP318S)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BSP318S)
Quantità Prezzo
-
Sostituti
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Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.91000
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Quantità disponibile. : 4,380
Prezzo unitario. : $0.71000
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