English
Spain
Rusia
China
GermanyMSCSM120AM11CT3AG
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
MSCSM120AM11CT3AG
DESCRIZIONE
SIC 2N-CH 1200V 254A SP3F
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 254A (Tc) 1.067kW (Tc) Chassis Mount SP3F
PRODUTTORE
Microchip Technology
INIZIATIVA STANDARD
37 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Microchip Technology
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N Channel (Phase Leg)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 120A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
696nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9060pF @ 1000V
Power - Max
1.067kW (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
SP3F
Base Product Number
MSCSM120
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Altri nomi
-
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Microchip Technology MSCSM120AM11CT3AG
Documenti e supporti
Datasheets
1(MSCSM120AM11CT3AG)
Environmental Information
()
Featured Product
1(Microchip Technology - Silicon Carbide Semiconductor Discrete Products)
PCN Assembly/Origin
1(Assembly Site 04/Aug/2023)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $387.2
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Tube
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-