Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
FQI13N50CTU
DESCRIZIONE
MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 500 V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
PRODUTTORE
onsemi
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
FQI13N50CTU Models
PACCHETTO STANDARD

Specifiche tecniche

Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2055 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
195W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
FQI13N50

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

-

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQI13N50CTU

Documenti e supporti

Datasheets
1(FQI13N50C)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 23/Dec/2021)
PCN Design/Specification
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Material Chgs 14/Oct/2020)
PCN Packaging
()
EDA Models
1(FQI13N50CTU Models)

Quantità Prezzo

-

Sostituti

Parte n. : STI13NM60N
Produttore. : onsemi
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $0.00000
Tipo sostitutivo. : MFR Recommended
Parte n. : IRFSL11N50APBF
Produttore. : Vishay Siliconix
Quantità disponibile. : 0
Prezzo unitario. : $3.48000
Tipo sostitutivo. : Similar