Panoramica del numero di parte

NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
SSS2N60B
DESCRIZIONE
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
N-Channel 600 V 2A (Tj) 23W (Tc) Through Hole TO-220F
PRODUTTORE
Fairchild Semiconductor
INIZIATIVA STANDARD
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
1,567

Specifiche tecniche

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
490 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
23W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F
Package / Case
TO-220-3 Full Pack

Classificazioni ambientali e di esportazione

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Altri nomi

FAIFSCSSS2N60B
2156-SSS2N60B

Categoria

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor SSS2N60B

Documenti e supporti

Datasheets
1(Datasheet)

Quantità Prezzo

QUANTITÀ: 1567
Prezzo unitario: $0.19
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1567

Sostituti

-