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GermanyIGN1011L70
Panoramica del numero di parte
NUMERO DI PARTE DEL PRODUTTORE
IGN1011L70
DESCRIZIONE
RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
DESCRIZIONE DETTAGLIATA
RF Mosfet 50 V 22 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 22dB 80W PL32A2
PRODUTTORE
Integra Technologies Inc.
INIZIATIVA STANDARD
4 Weeks
MODELLO EDACAD
PACCHETTO STANDARD
15
STOCK FORNITORI
Specifiche tecniche
Mfr
Integra Technologies Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
GaN HEMT
Frequency
1.03GHz ~ 1.09GHz
Gain
22dB
Voltage - Test
50 V
Current Rating (Amps)
-
Noise Figure
-
Current - Test
22 mA
Power - Output
80W
Voltage - Rated
120 V
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
PL32A2
Supplier Device Package
PL32A2
Classificazioni ambientali e di esportazione
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Altri nomi
2251-IGN1011L70
EAR99
Categoria
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/Integra Technologies Inc. IGN1011L70
Documenti e supporti
Datasheets
1(IGN1011L70)
Quantità Prezzo
QUANTITÀ: 15
Prezzo unitario: $203.29267
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
QUANTITÀ: 1
Prezzo unitario: $212.26
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Imballaggio: Bulk
Moltiplicatore minimo: 1
Sostituti
-